取得成就
近十年来在应变量子阱激光器、电吸收调制器及其集成以及半导体光放大器等方面取得的主要成绩：在国内首先研制成功应变量子阱1.55微米DFB激光器；随后，指导研究生采用周期埋岛结构，实现了新型反相位增益耦合量子阱DFB激光器、采用SAG技术，研制成功2.5Gb/sEA-MD/DFB-LD单片集成模块，并成功地在400公里标准光纤上进行了2.5Gb/s码率的传输、采用应变渐变结构研制成功偏振不灵敏的宽带1550nm波段半导体光放大器以及电吸收调制器和模斑转换器单片集成器件等。所负责的研究项目获国家科技进步二等奖两次；中国科学院科技进步一等奖一次、二等奖两次。目前负责在研的项目是：1.国家“973”项目:“新型量子阱功能材料和器件”（2001-2005）2.国家自然基金重大项目:“光网络用光放大器、电吸收调制器和模斑转换器串接集成材料与器件的研究”（2002-2004）
个人资料/履历
王圩，生于1937年，半导体光电子学专家，中国科学院院士。他发表学术论文30余篇。先后获国家科技成果奖。国家科技进步奖二等奖，国家“六五”科技攻关奖和863计划“七五”攻关奖、中国科学院科技进步一等奖等。1997年当选中国科学院院士。
人物经历
1960年，毕业于北京大学物理系半导体专业。
1960年，到中国科学院半导体研究所工作至今，现任中科院半导体研究所研究员。
1987年赴日本东京工业大学访问研究一年。
60年代，他率先在国内研制成功无位借硅单晶；参与开拓并负责建立了Ⅲ—V族化合物外延方法，解决了高掺杂和结偏位等关键问题，为使我国GaAs激光器的工作温度从77度K提高到室温作出了贡献。
70年代，率先在国内研制成功单异质结室温脉冲大功率激光器和面发射高亮度发光管，成功地应用在夜视、引信、打靶和精密测距仪上，并推广到工厂生产，为后来室温连续工作的短波长双异质结激光器的发展打下了基础。
80年代，他又率先在国内研制出室温连续工作的1．55微米四元激光器，为国内第三代光纤通信研究提供了长波长光源。
1987年，在日本东京工业大学创新地提出了一种内岛条形眼流结构的集束导波分布反射（BIG－KBR）激光器，获得了当时先进水平的4兆赫线宽单纵横输出；随后回国主持研制成功国内首批1．55微米动态单频分布反馈（DFB）激光器，解决了国内发展第三代长途干线大容量光纤通信的急需。
90年代，在国内首先研制成功应变量子阶1．55微米DFB激光器，使中国光通信用激光器的研究和国际新一代能带工程研究接轨；近年来指导研究生开展了DFB主振激光器与扇形结构光放大器的单片集成研究，并与香港中文大学合作，创新地提出了含扇形光栅的双段DFB激光器，在国际上首次获得峰值功率4瓦的3皮秒超短光脉冲。他发表学术论文30余篇。先后获国家科技成果奖。国家科技进步奖二等奖，国家“六五”科技攻关奖和863计划“七五”攻关奖、中国科学院科技进步一等奖等。
1997年，当选中国科学院院士。
2001年-2005年，负责在研的项目是：国家“973”项目:“新型量子阱功能材料和器件”。
2002年-2004年，国家自然基金重大项目:“光网络用光放大器、电吸收调制器和模斑转换器串接集成材料与器件的研究”。
荣誉成就
国家科技进步奖二等奖
国家“六五”科技攻关奖和863计划“七五”攻关奖
中国科学院科技进步一等奖等
延展资料
